dielectric thin films; electron traps; hole traps; leakage currents; rapid thermal annealing; space charge; lanthanum compounds; nitrogen; electron beam deposition; vacuum deposition; Schottky effect; energy gap; permittivity; gate oxide thickness; charge traps; rapid thermal annealing; leakage current; leakage conduction; space-charge-limited current conductions; dielectric thin films; e-beam evaporation deposition; low temperature dry-nitrogen annealing; n-Si(100); gate oxide current; conduction mechanisms; SCLC; space-charge-limited current conduction; Schottky conduction; oxide band gap trap levels; dielectric constant; 200 degC; 5 min; La/sub 2/O/sub 3/; N/sub 2/;
机译:低温干氮退火后电子束蒸发沉积La_2O_3薄膜中的空间电荷限制电流
机译:通过电子束蒸发沉积的等离子体蚀刻应用的氧化铬(Cr2O3)薄膜结构,光学和表面性能的影响
机译:通过电子束蒸发沉积的钛氧化物薄膜,具有额外的快速热氧化和退火功能,适用于ISFET应用
机译:低温干燥氮气退火后通过电子束蒸发沉积的La / sub 2 / o / sub 3 /薄膜中的空间电荷限制电流磁片栅氧化物应用
机译:通过基于乳剂的共振红外矩阵辅助脉冲激光蒸发沉积的有机薄膜:基本原理和应用。
机译:低温退火氧化锌纳米结构薄膜传感器:传感应用的表征
机译:低温沉积氧化锌薄膜的本征光致发光与激光和热退火的关系