MIS capacitors; dielectric thin films; laminates; vacuum deposited coatings; hafnium compounds; alumina; DRAM chips; leakage currents; mass production; Hf liquid precursor; DRAM; MIS capacitor; atomic layer deposition; leakage current; equivalent oxi;
机译:基于InGaAs的金属氧化物半导体(MOS)电容器中HfO_2 / Al_2O_3纳米叠层与三元Hf_xAl_yO化合物作为介电材料的比较
机译:圆柱型堆叠式Al_2O_3-HfO_2 MIS电容器的介电可靠性,可改善DRAM数据保持特性
机译:原子层沉积的Al2O3-HfO2层压和夹层电介质,用于金属-绝缘体-金属电容器
机译:批量生产价值HFO / SUB 2 / -AL / SUB 2 / O / SUB 3 /层压电容技术使用HF液体前体用于子100 NM DRAMS
机译:基于HfO2的FeFET:即将接管DRAM或闪存的重新出现的技术
机译:H2高压退火对HfO2 / Al2O3 / In0.53Ga0.47As电容器的影响:化学成分和电特性
机译:HFO2-AL2O3层压电介质优化高k / Inalas MOS电容器物理和泄漏电流特性研究