机译:640ps,0.25 / splμ/ m CMOS,16 / spl次/ 64-b三端口寄存器文件
机译:使用1.8V,0.25- / spl mu / m CMOS技术制造的CMOS有源像素图像传感器
机译:在SOI,SOS和块状基板上以0.1- / spl mu / m CMOS技术实现的4 GHz和13 GHz调谐放大器
机译:在1.8V,0.25μmCMOS批量和SOI技术中实现高速多端口寄存器文件
机译:使用硅锗HBT BiCMOS技术实现的32字乘32位三端口双极性寄存器文件。
机译:CMOS-SOI技术中的纳米集成温度和热传感器
机译:采用$ 0.25- \ mu-m $ CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果