机译:在室温操作期间,CVD金刚石p-i-n结具有负电子亲和力的电子发射
机译:CVD金刚石表面的氢终止和电子发射:二次电子发射,光电子发射显微镜,光电子产率和场发射研究的组合
机译:通过电流注入从具有负电子亲和力的n型金刚石膜表面发射电子
机译:具有负电子亲和力的CVD金刚石膜的二次电子发射峰的细结构
机译:负电子亲和力金刚石表面的电子发射特性。
机译:磁控溅射沉积非晶碳膜的基体温度相关的微观结构和电子诱导的二次电子发射特性
机译:使用荧光屏探测器测量CVD金刚石薄膜的二次电子发射
机译:表面处理对CVD金刚石薄膜二次电子发射的影响