indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; semiconductor quantum wells; electro-optical switches; optical communication equipment; telecommunication switching; high-speed optical techniques; ultrafast 1.55 /spl mu/m all-optical switch;
机译:使用新型InGaAs-AlAsSb-InP耦合双量子阱结构进行亚带间跃迁,以1.3 / spl mu / m / 1.55 / spl mu / m的超快全光切换
机译:新型耦合的InGaAs-AlAsSb双量子阱结构中子带间跃迁为1.3和1.55 / spl mu / m
机译:InGaAs-AlAs-AlAsSb耦合量子阱中基于子带间跃迁的全光开关吸收动力学
机译:超快(/ SPL SIM / 1 THz)1.55 / SPL MU / M全光开关在Ingaas / Alas / Alassb耦合量子孔中使用Intersubband吸收
机译:氮化镓/氮化铝量子阱波导中基于子带间跃迁的超快全光切换
机译:全光有源太赫兹超表面用于超快偏振切换和动态分束
机译:InGaAs-AlAsSb-InP量子阱中的近红外激光泵浦子带内太赫兹激光增益
机译:InGaas-alassb-Inp量子阱中的近红外激光泵浦子带间THz激光增益