机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:适用于低压混合信号应用的0.13 / splμ/μm的多SiGe栅极CMOS技术
机译:比较模拟应用中0.18和0.25 / spl mu / m CMOS技术中的电离辐射效应
机译:具有EEPROM技术的1.0 / SPL MU / M BICMOS,适用于智能模拟和混合信号ASIC产品的设计
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:简单的BiCMOS CCCTA设计和无电阻模拟功能实现
机译:使用0.35μmSiGeBiCMOS技术为IEEE 802.11a应用设计4.2-5.4 GHz差分LC VCO