机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:湿蚀刻和干蚀刻a-Si:H TFT的性能和可靠性比较
机译:后湿化学处理改善单晶β-Ga_2O_3干法刻蚀引起的表面粗糙度
机译:多晶硅使用湿化学自旋工艺技术恢复蚀刻
机译:使用矢量元胞自动机进行各向异性湿法蚀刻仿真。
机译:勘误表:使用Fuji Ortho LC玻璃离聚物在干湿条件下对已蚀刻和未蚀刻搪瓷的托槽粘结强度比较
机译:通过在干湿牙釉质上施加单键,对总蚀刻技术蚀刻搪瓷表面微泄漏的评价