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GaAs Wideband Tw0-Stage Power Amplifier, Covering 8 驴 18 GHZ Frequency Band

机译：GaAs宽带Tw0级功率放大器，覆盖8驴18 GHZ频段

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The results of the development of the wideband two-stage power amplifier (PA), covering 8-18 GHz frequency band with the saturated output power of 0.74-1.1 W and the gain of 6.9-8.6 dB, are presented. PA is realized with "the chip-on-the chip" (quasimonolithic) technology application. The PA and balanced PA (BPA) output characteristics are demonstrated

机译：给出了宽带两级功率放大器（PA）的开发结果，该放大器覆盖8-18 GHz频带，饱和输出功率为0.74-1.1 W，增益为6.9-8.6 dB。 PA是通过“芯片上芯片”（准单片）技术应用来实现的。演示了功率放大器和平衡功率放大器（BPA）的输出特性

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来源
《》|2006年|187-188|共2页
会议地点
作者
G. S. Zykova; U. B. Mjakishev; Yu. N. Rakov; V. P. Chibaev; V. G. Budakov;
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正文语种
中图分类
关键词
III-V semiconductors; MMIC power amplifiers; gallium arsenide; wideband amplifiers; 0.74 to 1.1 W; 6.9 to 8.6 dB; 8 to 18 GHz; BPA; GaAs; balanced power amplifier; chip-on-chip technology application; wideband two-stage power amplifier;

机译：III-V半导体; MMIC功率放大器;砷化镓;宽带放大器; 0.74至1.1 W; 6.9至8.6 dB; 8至18 GHz; BPA; GaAs;平衡功率放大器;片上芯片技术应用;宽带两级功率放大器;

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