high-speed optical techniques; aggregation; localised states; semiconductor quantum dots; semiconductor quantum wells; optical pumping; carrier relaxation time; indium compounds; gallium compounds; wide band gap semiconductors; III-V semiconductors; femtosecond pump-probe study; carrier dynamics; InGaN/GaN quantum wells; indium; aggregation; quantum dot structures; temperature-dependent pump-probe measurement; carrier relaxation; localized states; InGaN-GaN;
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机译:铟含量梯度InGaN / GaN量子阱中高效绿色发光的载流子动力学:有效载流子转移的重要作用
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