机译:用低温生长的缓冲层制造的GaAs场效应晶体管的电荷收集效率:取决于电荷沉积曲线
机译:用低温生长的GaAs缓冲层制造的GaAs异质结构FET的电荷收集特性
机译:用低温生长的GaAs缓冲层制造的GaAs MESFET的电荷收集特性:计算机仿真
机译:通过低温生长缓冲层制造的GaAs场效应晶体管的充电效率:依赖电荷沉积曲线
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:具有垂直场和嵌入式薄低温生长层的GaAs检测器的性能增强
机译:通过原子层沉积生长具有氧化物栅极电介质的耗尽型InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:通过分子束外延直接在si衬底上生长的Gaas层中制造的金属半导体场效应晶体管。