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Investigation of the X-Ray Storage Phosphors Cs_2NaYF_6:Pr~(3+), Ce~(3+)

机译：X射线存储荧光粉Cs_2NaYF_6：Pr〜（3+），Ce〜（3+）的研究

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We present Cs_2NaYF_6:Ce~(3+),Pr~(3+) as a new promising X-ray storage phosphor. The radiation damage centers upon X-irradiation at 10K and 300K were investigated in pure and activator (Ce~(3+), Pr~(3+), Sb~(3+) - doped Cs_2NaYF_6 using magnetooptical and magnetic resonance spectroscopy. At low temperatures V_K centers and H_A- type centers as well as Pr~(4+) hole trap centers were identified and F centers as electron trap centers. For the activator Pr~(3+) it could be shown that upon room temperature X-irradiation only F centers and Pr~(4+) hole trap centers are involved in the information storage and readout process.

机译：我们提出Cs_2NaYF_6：Ce〜（3 +），Pr〜（3+）作为一种新型的有前途的X射线存储荧光粉。在纯光和活化剂（Ce〜（3 +），Pr〜（3 +），Sb〜（3+）掺杂的Cs_2NaYF_6掺杂剂中，通过磁光和磁共振光谱研究了在10K和300K处X射线辐射的辐射损伤中心。在低温下，确定了V_K中心和H_A型中心以及Pr〜（4+）空穴陷阱中心，F中心为电子陷阱中心。对于活化剂Pr〜（3+），可以证明在室温下X-信息存储和读出过程只涉及辐照F中心和Pr〜（4+）空穴陷阱中心。

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来源
《》|1997年|p.287-290|共4页
会议地点
作者
Th. Pawlik; J.-M. Spaeth;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类电工技术 ;
关键词
Radiation Defects; X-Ray Storage Phosphors; EPR; ENDOR; MCDA; MCDA-EPR;

机译：辐射缺陷; X射线存储荧光粉; EPR; ENDOR; MCDA; MCDA-EPR;

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