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Future trends of HBT technology for commercial and defense applications

机译:用于商业和国防应用的HBT技术的未来趋势

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摘要

Heterojunction bipolar transistor (HBT) technology has been under development since the early 1980s. In the mid-1990s HBT technology has matured providing components for high volume low cost commercial wireless applications, as well as for high performance defense avionics, ground, and space applications. We discuss the status and future trends of HBT IC technology and production for defense and commercial applications, including advanced technology development, and comparison to MESFET, HEMT, and silicon based bipolar technology. Brief mention is made of power amplifiers and signal synthesizers.
机译:自1980年代初以来,异质结双极晶体管(HBT)技术一直在开发中。在1990年代中期,HBT技术已经成熟,可以为大批量低成本商业无线应用以及高性能国防航空电子,地面和太空应用提供组件。我们讨论了用于国防和商业应用的HBT IC技术和生产的现状和未来趋势,包括先进的技术开发以及与MESFET,HEMT和基于硅的双极技术的比较。简要介绍了功率放大器和信号合成器。

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