机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:采用0.35 / spl mu / m高密度BiCMOS SRAM技术的规模化,高性能(4.5 fJ)双极器件
机译:采用0.35- / spl mu / m BiCMOS SiGe技术的多标准通信的低相位噪声IP VCO
机译:高性能0.35 / SPL MU / M 3.3 V BICMOS技术针对0.6 / SPL MU / M 3.3 V BICMOS技术的产品进行了优化
机译:使用硅锗HBT BiCMOS技术实现的32字乘32位三端口双极性寄存器文件。
机译:使用基于网络的技术促进拉丁美洲人的体育锻炼:阿拉巴马州穆维特先导研究的结果
机译:使用0.35μmSiGe BiCMOS技术的可调谐多频带差分LC VCO设计用于多标准无线通信系统