Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 0200, Australia;
机译:V / III比和催化剂粒径对InP纳米线晶体结构和光学性能的影响
机译:GaAs纳米线侧壁上InP和InP / InAs纳米结构的可控生长和光学性质
机译:GaAs纳米线侧壁上InP和InP / InAs纳米结构的可控生长和光学性质
机译:晶体结构对INP纳米线光学性质的影响
机译:探索纳米线和纳米晶体的新颖物理特性:第一部分。纳米线的光学特性和器件应用。第二部分纳米晶体的机械和摩擦学特性。
机译:单晶SnS纳米线阵列的表征和光学性质
机译:新型半导体纳米结构的光学性质:纤锌矿InP / InAs / InP核-多壳纳米线