College of Electronics and Technology Anhui University Hefei 230039;
机译:SOI高压器件顶部硅层上垂直击穿电压对杂质浓度的新分析模型
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:多级电荷泵的输出电压和功率效率的分析模型
机译:获得二极管电容电桥输出电压与传感器参数的解析相关性
机译:频率输出压力传感器的设计。
机译:塌陷电容微机械超声换能器分析模型综述塌陷电压及静态膜偏转
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:测量组件技术。第1卷:低温压力测量技术,高压法兰密封,压力传感器材料的氢脆,紧耦合与远程传感器安装以及压力传感器的温度补偿