The authors are with Nanjing Electronic Devices Institute P. o. Box 1601 Nanjing ,210016. China;
机译:40 GHz MMIC SPDT和多端口带通滤波器集成开关
机译:采用欧姆电极共享技术的紧凑型DC-60 GHz HJFET MMIC开关
机译:用于50 GHz至110 GHz频率范围内RF功率应用的GaN MMIC
机译:DC-40 GHZ MMIC开关
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:在6 GHz7 GHz和8 GHz下使用频率扫描测量的微波链路射频干扰的实验数据
机译:用于28 GHz通信系统的MESFET MMIC开关
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。