Rensselaer Polytechnic Institute, Electrical, Computer and Systems Engineering Department, 110, 8th Street, Troy, NY 12180, USA;
4H-SiC; hall effect; lonization energy; phosphorus implantation;
机译:设计磷和砷双施主掺杂锗中的自由空位和活性施主浓度
机译:p型4H-SiC在大范围掺杂浓度下电阻率与温度的关系的解析公式
机译:磷硅酸盐玻璃门控4H-SiC金属氧化物半导体器件:磷浓度依赖性
机译:4H-SiC中磷供体的电离能与掺杂浓度的关系
机译:湍流动能,磷浓度,悬浮沉积物浓度及磷荷载对悬浮沉积物磷吸附的影响
机译:a暂无Karplus组效果:从邻位磷氢NmR耦合常数对孤对形态的依赖磷杂环和DFT计算证据
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