首页> 外文会议>International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics; 20040802-06; Tallahassee,FL(US) >PERSISTENCE OF FANO AND AHARONOV-BOHM PHASES IN AN INTERFEROMETER WITH A QUANTUM DOT
【24h】

PERSISTENCE OF FANO AND AHARONOV-BOHM PHASES IN AN INTERFEROMETER WITH A QUANTUM DOT

机译:量子点干涉仪中FANO和AHARONOV-BOHM相的持久性

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摘要

Using a realistic model of an Aharonov-Bohm ring with a quantum dot in one arm and a control gate in the other, we demonstrate phase persistence in the Fano and Aharonov-Bohm effects as has been observed in experiments. The Fano effects in the conductance is examined by changing the states in the Aharonov-Bohm ring by the control gate.
机译:使用一个在一个臂中带有量子点,在另一个臂中具有控制门的Aharonov-Bohm环的现实模型,我们证明了在实验中已经观察到的Fano和Aharonov-Bohm效应的相位持久性。通过控制栅极更改Aharonov-Bohm环中的状态来检查电导中的Fano效应。

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