Merchant Marine College,Shanghai Maritime University,Shanghai 200135,P.R.China;
rnShanghai Branch of the China Academy of Building Research,Shanghai 200023,P.R.China;
rnMerchant Marine College,Shanghai Maritime University,Shanghai 200135,P.R.China;
机译:垂直MRAM中用于高Gb /芯片的新型磁极类型结构的建议
机译:自旋扭矩和现场驱动的垂直MRAM设计可扩展至多Gb /芯片容量
机译:垂直磁化的TMR元件,可增加Spin-RAM(MRAM)的容量
机译:高容量最佳设计新型杆型垂直MRAM的研究
机译:考虑容量衰减机制的最佳电池运行和设计
机译:撒哈拉以南非洲卫生系统和公共卫生治理的战略领导能力建设:对泛非DrPH的基本能力和最佳设计进行多国评估
机译:使用双通道显着降低mRam设计中的临界电流 具有垂直和面内各向异性的自由层