Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
University of Maria Curie-Sklodowska, PI. M. Curie-Sklodowska 1, 20-031 Lublin, Poland;
electroluminescence; rare earth; temperature quenching; silicon dioxide;
机译:稀土植入SiO2层温度降解温度降解和再活化的研究
机译:额外的SiON保护层大大增强了稀土植入的SiO_2发光器件的稳定性
机译:室温和500℃注入稀土离子的GaN的比较结构研究。
机译:稀土植入SiO_2层的温度降解和再活化的调查
机译:稀土锰酸盐的研究:(1)掺杂诱导从铁磁性导电到La(1-x)Ca(x)mnO(3)中电荷有序绝缘状态的过渡。 (2)场依赖性低温比稀土锰矿床
机译:稀土预注入催化强化合金钢真空渗碳层的研究
机译:核定位作为一种用稀土调查磁性多层的工具
机译:碱土硫化物中稀土发光中心的电子结构