IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP/BTU Joint Lab, Universitaetsplatz 3-4, 03044 Cottbus, Germany;
Centrotherm GmbH + Co. KG, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
thermal processing; shear stress; gravitational stress; slip;
机译:高温下硅晶片的水平与垂直退火
机译:室温粘合硅在绝缘体晶片上,具有通过退火的沉积硅氧化层和表面活化粘合而形成的致密掩埋氧化物层
机译:高温氮退火在重掺杂砷的硅晶片上的硅外延层中引起间隙氧沉淀
机译:水平与硅晶片垂直退火在高温下
机译:高温退火过程中硅片中镍和金的热力学研究。
机译:在100硅晶片上的多孔氧化铝模板中生长的高度组织化和密集的垂直硅纳米线阵列
机译:初始空位浓度和退火温度对硅晶片氧簇的影响的相场模拟