Materials Research Laboratories Industrial Technology Research Institute Chutung Hsinchu Taiwan 31040 R. O. C.;
机译:MPECVD法合成碳纳米管的电子场发射特性与原位等离子体光谱的相关性
机译:通过MPECVD方法对电子场发射性能和原位等离子体光谱法进行碳纳米管
机译:CVD法在Au / Ni膜上合成的碳纳米管及其场发射特性
机译:高温电弧法和低温CVD法合成碳纳米管的场发射特性
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:通过PECVD在金属合金基底上合成的碳纳米管场发射体用于X射线源应用中的定制紧凑型场致发射器件
机译:微波等离子体增强CVD法制备短锥形碳纳米管的优异场发射性能