Department of Physics University of Bath BA2 7AY UK;
CNRS-LCMI 25 Avenue des Martyrs 38042 Grenoble. France;
Department of Physics and Astronomy University of Nottingham NG7 2RD UK;
机译:边沿通道散射对温度和磁场的依赖性-边沿限制电位的发现
机译:由于快速旋转的共振磁扰动场,等离子体边缘电子密度和温度场之间的相位延迟的旋转依赖性
机译:n型多通道无结晶体管中电子行为的温度依赖性
机译:在低于50 nm的MOSFET中有效沟道长度,源极/漏极电阻和电子迁移率的温度依赖性
机译:费米表面研究和二维ACAR在高临界温度超导钇钡(2)铜(3)氧(7-x)系统中电子-正电子动量密度的温度依赖性。
机译:电子密度和电子电子的温度依赖性SiC上生长的单层外延石墨烯中的相互作用
机译:由于快速旋转的共振磁扰动场,等离子体边缘电子密度和温度场之间的相位延迟的旋转依赖性
机译:La(2-x)m(x)CuO4和YBa2Cu3O(7-y)中高温超导的线性电子 - 空穴 - 电子对模型:2,超导转变温度对压力和孔浓度的依赖性