Department Electronics and Communication Engineering Indian Institute of Technology Roorkee Roorkee India - 247667;
Department Electronics and Communication Engineering Indian Institute of Technology Roorkee Roorkee India-247667;
Department Mechanical and Industrial Engineering Indian Institute of Technology Roorkee India-247667;
Aluminum nitride; III-V semiconductor materials; Substrates; Wet etching; Dry etching; Sputtering;
机译:基于c轴倾斜AlN薄膜改善性能的MEMS压电振动能量采集器的仿真研究
机译:Scaln / Aln梯形悬臂的设计和性能基于MEMS压电能量收割机
机译:使用COMSOL Multiphysics软件设计和分析基于MEMS的氮化铝(AlN),铌酸锂(LiNbO 3 / sub)和具有不同基板材料的氧化锌(ZnO)悬臂,它们具有不同的基板材料
机译:C轴生长ALN膜的悬臂式MEMS结构的制造能源收割机应用
机译:薄膜钛酸锆钛酸铅悬臂的制造用于能量收集应用。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:基于c轴倾斜alN薄膜的mEms压电振动能量收集器性能改进仿真研究