液中半導体センサーパッシベーシヨン膜の厚膜化による配線腐食低減

摘要

本研究では配線との電気化学反応および腐食を防ぐこと を目的とし，金属配線を覆うパッシベーション膜の膜厚を 厚くすることにより貫通欠陥を消滅させる手法について検rn討した.配線金属を覆うパッシベーシヨン膜SiNの膜厚を 300 nm堆積することにより，貫通欠陥による電気化学反応 電流を抑制することできた.しカゝし，パッシベーシヨン膜厚 が薄すぎる場合はSiN膜が成長しきれず不均一になること による欠陥が発生し，膜厚が厚すぎる場合は応力による欠rn陥が発生することが分かった.また電気化学反応電流を抑rn制することができたパッシベーシヨン膜厚300 nmでパッ シベーシヨン膜の長期耐久性に関する実験を行った.150時 間程度でパッシベーシヨン膜厚500nmを堆積した試料と同 程度の電気化学反応電流が流れるようになり，500時間を超 えるとパッシベーション膜を堆積していない試料に近い電 気化学反応電流が流れるようになることが確認できた.