Institute of Photonics SUPA University of Strathclyde Glasgow Scotland UK G4 0NW;
机译:在微米/纳米混合图案蓝宝石衬底上生长的基于InGaN的发光二极管
机译:具有高度方向性光束轮廓的发红光的基于GaN的纳米柱发光二极管
机译:量子阱形状对400-500 nm范围内基于InGaN的发光二极管的性能的影响
机译:独立地址平面纳米透视基的光发射器
机译:高效平面太阳能聚光器和有机发光二极管的新型结构
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
机译:单独寻址的基于平面纳米级InGaN的发光体