Dept. of Electr. Eng. Tohoku Univ. Sendai Japan;
机译:从8.2GHz到12.4 GHz的取代六氧化物中的电磁吸收剪裁
机译:在Si / SiO_2衬底上通过脉冲激光沉积生长的多晶Sr-M和Pb-M六铁氧体薄膜的磁性
机译:Co-Ti Co-替代SRM六氧化物SRCOXTIXFE12-2XO19化合物的磁性转型行为及电磁特性的特征
机译:替代SR-M六己二馏石片上芯片成分层的磁性表征超过10 GHz
机译:利用定向钴取代的Z型钡六铁氧体设计新型宽带电磁带隙超材料和天线元件。
机译:声化学共沉淀法合成共取代Ba2Mg2Fe12O22亚铁氧体的结构和磁性
机译:多层铁磁复合材料,可实现片上磁芯电感器超过1 GHZ