InGaAsP/InP opto-electronic devices fabricated from MOVPE wafers

机译：由MOVPE晶圆制造的InGaAsP / InP光电器件

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Atmospheric MOVPE has been developed to produce a range ofnInP/GaInAsP device structures uniformly over 2" InP wafers. State of artnFabry-Perot (I_th 6mA) and DFB lasers (linewidth 3 MHz),nELEDs, and planar detectors (I_d as low as 8 pA at -5V) arenreported, together with reliability data

机译：大气MOVPE已经开发出来，可以在2英寸InP晶片上均匀地生产出一系列nInP / GaInAsP器件结构。先进的法布里-珀罗（Ithsub> 6mA）和DFB激光器（线宽3 MHz），nELED和未报告平面检测器（-5V时I _{d 低至8 pA）以及可靠性数据}

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来源
《IEEE global telecommunications conference : Countdown to the new millennium : Conference record》|1991年|p.328-336|共9页
会议地点 Phoenix AZ(US);Phoenix AZ(US)
作者
Spillett R.E.;
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作者单位

British Telecom Res. Labs., Ipswich;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类 TN91(1);
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