Sensor Technology Department, University of Paderborn, 33098 Paderborn, Germany;
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Sensor Technology Department, University of Paderborn, 33098 Paderborn, Germany;
Sensor Technology Department, University of Paderborn, 33098 Paderborn, Germany;
gold; II-VI semiconductors; metallisation; nanofabrication; nanoparticles; semiconductor growth; silver; thin film transistors; wide band gap semiconductors; zinc compounds;
机译:通过控制ZnO薄膜生长的Vl / ll比并使用改良的薄膜晶体管层结构来改善金属有机化学气相沉积生长的ZnO薄膜晶体管的特性
机译:用于氧化物电荷 - 陷阱存储器薄膜晶体管的原子层沉积辅助ZnO纳米颗粒
机译:用于氧化物电荷 - 陷阱存储器薄膜晶体管的原子层沉积辅助ZnO纳米颗粒
机译:通过刮刀工艺沉积ZnO纳米粒子薄膜晶体管
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:高性能热氧化金属氧化物场效应晶体管的喷雾热解透明ZnO薄膜沉积
机译:由刮刀涂层液态硅制成的柔性聚酰亚胺基板上的单晶硅薄膜晶体管
机译:等离子体处理ZnO纳米粒子上聚合物薄膜的沉积。