Cadence Design Systems, Dallas, USA;
机译:具有睡眠晶体管和MTCMOS方案的基于低功耗50 nm技术的逆变器的设计比较
机译:采用动态睡眠晶体管的65nm CMOS技术的SRAM设计,可减少泄漏
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:28nm CMOS技术睡眠晶体管设计
机译:在标准CMOS技术中实现垂直双极晶体管,用于设计低成本BICMOS集成电路
机译:CMOS兼容的硅纳米线场效应晶体管生物传感器:面向商业化的技术发展
机译:辐射对28nm CMOS技术中晶体管的影响