机译:40nm 1.0Mb 6T流水线SRAM,具有基于数字的位线欠驱动,三步上升字线,具有VCS跟踪功能的自适应数据感知写辅助以及用于升压控制的自适应电压检测器
Dept. of Electronics Eng. Inst. of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.;
机译:具有二进制字线升压控制,纹波位线和自适应数据感知写辅助的40 nm 512 kb交叉点8 T流水线SRAM
机译:具有交叉点数据感知写入字线结构,负位线和自适应读取操作时序跟踪的单端无干扰9T亚阈值SRAM
机译:不确定DC / DC升压转换器的自适应输出电压跟踪控制器
机译:带有数字基于位线的40nm 1.0MB 6T管道SRAM,三升压字线,自适应数据感知写辅助与VCS跟踪和自适应电压检测器,用于升压控制
机译:具有交叉点数据感知写字线结构,负位线和自适应读取操作时序跟踪的单端无干扰9T亚阈值SRAM