Laboratory of Microfabrication, Institute of Physics Chinese Academy Science, Beijing 100080, China;
机译:以纳米级金刚石功率增强了沉积在预接种硅衬底上的金刚石膜的电子发射
机译:氮掺杂金刚石薄膜增强热电子发射的基质-金刚石界面考虑
机译:多能金离子注入可增强在Au涂层Si衬底上生长的异质结构金刚石薄膜的场电子发射特性
机译:以纳米级金刚石功率以粉末形式读取的功率,增强了沉积在预接种硅衬底上的金刚石膜的电子发射
机译:类金刚石碳膜和金刚石膜的生长和特征:原子氢束的作用和电子场发射的研究。
机译:具有增强的场电子发射性能的掺锂纳米晶金刚石薄膜的低温合成
机译:硅衬底上氮掺杂金刚石薄膜的热增强光诱导电子发射
机译:用碱金属卤化物涂覆化学气相沉积金刚石薄膜的稳定二次电子发射