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【24h】

Intrinsic defects in photorefractive bulk CdTe and ZnCdTe

机译:光折变体CdTe和ZnCdTe的固有缺陷

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摘要

We report the observation by electron paramagnetic resonance spectroscopy of a new intrinsic paramagnetic defect in Ge-doped bulk CdTe and ZnCdTe, which we attribute to the A-centre, a donor/cadmium vacancy defect. It is characterised by monoclinic I symmetry and a g-tensor with principal values g_1 = 1.9483, g_2 = 2.1697. The concentration is in the 10~15-10~16 cm~-3 range. From photo-EPR its level position is estimated to E_v + 0.6 eV. direct c 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
机译:我们报告通过电子顺磁共振光谱观察到的Ge掺杂的大块CdTe和ZnCdTe中的新的固有顺磁缺陷,这归因于A中心,一个供体/镉空位缺陷。它的特点是单斜I对称和g张量,主值g_1 = 1.9483,g_2 = 2.1697。浓度在10〜15-10〜16 cm〜-3范围内。根据光EPR,其水平位置估计为E_v + 0.6 eV。直接c 1999 Elsevier Science B.V.保留所有权利。

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