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Low resistive ZnSe substrates
机译:
低电阻ZnSe基板
作者:
P.Lemasson
;
A.Riviere
;
G.Didier
;
A.Tromson-Carli
;
R.Triboulet
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Hall effect measurements;
ZnSe crystals;
Electron channelling patterns (ECP);
Cathodoluminescence (CL);
2.
Materials aspects of CdTe/CdS solar cells
机译:
CdTe / CdS太阳能电池的材料方面
作者:
K.Durose
;
P.R.Edwards
;
D.P.Halliday
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
3.
Experimental evidence of the self-compensation mechanism in CdS
机译:
CdS中自补偿机制的实验证据
作者:
U.V.Desnica
;
I.D.Desnica-Frankovic
;
R.Magerle
;
A.Burchard
;
M.Deicher
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
II-VI's;
CdS;
Compensation;
Self-compensation;
A center;
Doping;
4.
Negatively charged exciton formation in an asymmetric double CdTe/(Cd,Mn)Te QWs
机译:
不对称双CdTe /(Cd,Mn)Te QWs中带负电的激子形成
作者:
J.Siviniant
;
N.Paganotto
;
A.V.Kavokin
;
D.Coquillat
;
D.Scalbert
;
J-P.Lascaray
;
J.Cibert
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Negatively charged exciton;
Semimagnetics;
Double quantum wells;
5.
Low-pressure synthesis and Bridgman growth of Hg_1-xMn_xTe
机译:
Hg_1-xMn_xTe的低压合成和Bridgman生长
作者:
C.Reig
;
N.V.Sochinskii
;
V.Munoz
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
6.
Vapour growth and doping of ZnSe single crystals
机译:
ZnSe单晶的气相生长和掺杂
作者:
Yu.V.Korostelin
;
V.I.Kozlovsky
;
A.S.Nasibov
;
P.V.Shapkin
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
ZnSe substrate;
Single crystal;
Vapour phase growth;
Doping;
7.
Structural properties of MOVPE-grown ZnSe studied by X-ray diffractometry, atomic force microscopy and electron microscopy
机译:
X射线衍射,原子力显微镜和电子显微镜研究MOVPE生长的ZnSe的结构性质
作者:
Q.Liu
;
H.Lakner
;
W.Taudt
;
M.Heuken
;
C.Mendorf
;
K.Heime
;
E.Kubalek
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
ZnSe/GaAs heterostructures;
Polycrystalline islands;
AFM;
SEM;
MOVPE;
8.
Sulphur diffusion in CdTe and the phase diagram of the CdS-CdTe pseudo-binary alloy
机译:
硫在CdTe中的扩散及CdS-CdTe准二元合金的相图
作者:
D.W.Lane
;
G.J.Conibeer
;
D.A.Wood
;
K.D.Rogers
;
P.Capper
;
S.Romani
;
S.Hearne
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
CdS;
S;
Diffusion;
Phase diagram;
9.
Structure defects and phase transition in tellurium-doped ZnSe crystals
机译:
碲掺杂ZnSe晶体的结构缺陷和相变
作者:
L.V.Atroshchenko
;
L.P.Galchinetskii
;
S.N.Galkin
;
V.D.Ryzhikov
;
V.I.Silin
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Phase transition;
Pacing defects;
Birefringence;
Doping;
10.
Investigations on the effect of contacts on p-type CdTe DLTS-measurements
机译:
接触对p型CdTe DLTS测量的影响的研究
作者:
K.Scholz
;
H.Stiens
;
G.Mueller-Vogt
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
DLTS-measurements;
p-Type CdTe;
11.
Zinc segregation in HPB grown nuclear detector grade Cd_1-xZn_xTe
机译:
HPB生长核探测器Cd_1-xZn_xTe级中的锌偏析
作者:
P.Fougeres
;
L.Chibani
;
M.Hageali
;
J.M.Koebel
;
G.Hennard
;
A.Zumbiehl
;
P.Siffert
;
M.Benkaddour
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdZnTe;
PIXE;
XRF;
Zn segregation;
Nuclear detector;
12.
Influence of deep levels on CdZnTe nuclear detectors
机译:
深能级对CdZnTe核探测器的影响
作者:
A.Zerrai
;
K.Cherkaoui
;
G.Marrakchi
;
G.Bremond
;
P.Fougeres
;
M.Hage-Ali
;
J.M.Koebel
;
P.Siffert
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Cadmium zinc telluride;
PICTS;
Tees;
Deep level;
Nuclerar detector;
13.
Vapor pressure scanning implications of CdTe crystal growth
机译:
蒸气压扫描对CdTe晶体生长的影响
作者:
Jacob H.Greenberg
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
Crystal growth;
Nonstoichiometry;
Vapor pressure scanning;
14.
Isotopically pure ZnSe Crystals grown from the vapor
机译:
从蒸气中生长出的同位素纯ZnSe晶体
作者:
R.Lauck
;
E.Schoenherr
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Zinc selenide;
Isotopes;
Synthesis;
Physical vapor transport;
Reservoir;
Twinning;
15.
Investigation of indium-defect pairs in CdTe by PAC spectroscopy
机译:
PAC光谱法研究CdTe中的铟缺陷对
作者:
U.Reisloehner
;
N.Achtziger
;
W.Witthuhn
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
A-center;
PAC;
Vacancies;
Self-compensation;
16.
Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe
机译:
ZnSe和CdSe包埋的多孔硅的性能研究
作者:
A.I.Belogorokhov
;
L.I.Belogorokhova
;
S.Gavrilov
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Porous silicon embedding;
CdSe;
ZnSe;
PL and Raman scattering spectra;
17.
Intrinsic defects in photorefractive bulk CdTe and ZnCdTe
机译:
光折变体CdTe和ZnCdTe的固有缺陷
作者:
H.J.von Bardeleben
;
T.Arnoux
;
J.c.Launay
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
18.
A method for the calculation of defect equilibrium
机译:
缺陷平衡的计算方法
作者:
K.Lott
;
L.Tuern
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
High temperature defect equilibrium;
Frozen-in defect equilibrium;
Iteration method;
19.
Recent developments in II-VI substrates
机译:
II-VI基板的最新发展
作者:
K.Sato
;
Y.Seki
;
Y.Matsuda
;
O.Oda
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
20.
Can percolation control doping, diffusion and phase segregation in (Hg, Cd)Te?
机译:
渗滤可以控制(Hg,Cd)Te中的掺杂,扩散和相偏析吗?
作者:
David Cahen
;
Ofer Melamed
;
Igor Lubomirski
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
MCT;
Silver;
Phase transition;
21.
Electron-irradiation enhanced dislocation glide in II-VI semiconductors
机译:
II-VI半导体中电子辐照增强的位错滑动
作者:
Colette Levade
;
Guy Vanderschaeve
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Dislocation mobility;
Cathodoplastic effect;
II-VI semiconductors;
Transmission electron microscopy;
In situ deformation;
22.
Enhancement of magneto-optical effects in ZnHgMnTe soild solutions
机译:
ZnHgMnTe污染溶液中磁光效应的增强
作者:
A.I.Savchuk
;
V.I.Fediv
;
V.M.Frasunyak
;
I.D.Stolyarchuk
;
P.I.Nikitin
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Zeeman splitting;
Faraday rotation;
Crystal;
Semimagnetic semiconducotr;
Magnetic field;
23.
Growth and characterization of high-resistivity CdTe
机译:
高电阻率CdTe
的生长与表征
作者:
D.V.Korbutyak
;
S.G.Krylyuk
;
P.M.Tkachuk
;
V.I.Tkachuk
;
N.D.Korbutjak
;
M.D.Raransky
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
Crystal growth;
Chlorine doping;
Resistivity;
Photoluminescence;
Exciton;
24.
Generation-recombination noise and photo-induced transient conductivity in epitaxial CdHgTe long wavelength infrared detectors
机译:
外延CdHgTe长波长红外探测器中的产生复合噪声和光诱导瞬态电导率
作者:
Nichols Paul
;
Carolyne M.Van Vliet
;
Sylvia Mergui
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Noise;
Generation-recombination processes;
Traps;
Vacancies;
Interface-states;
25.
High-temperature point defect equilibrium in CdTe modelling
机译:
CdTe建模中的高温点缺陷平衡
作者:
P.Fochuk
;
O.Korovyanko
;
O.Panchuk
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
In;
High-temperature electroconductivity;
Defects;
Models;
26.
Conductivity change of Au/p-CdTe/Au as a function of the temperature gradient
机译:
Au / p-CdTe / Au的电导率变化与温度梯度的关系
作者:
Svetla Vackova
;
Karel Zdansky
;
Karel Vacek
;
Larisa Scherback
;
Petro Feichouk
;
Marija Ilaschouk
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
p-CdTe;
Electrical conductivity;
Temperature gradient;
27.
High temperature electrical conductivity in the Cu solubility limit range in ZnS : Cu
机译:
ZnS:Cu中Cu溶解度极限范围内的高温电导率
作者:
K.Lott
;
M.Raukas
;
A.Vishnjakov
;
A.Grebennik
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Cu-doped ZnS;
Chemical solubility limit;
High temperature electrical conductivity;
Defect equilibria;
28.
Influence of structural defects on lattice parameter and measured composition of Hg_1-xCd_xTe epilayers
机译:
结构缺陷对Hg_1-xCd_xTe外延层晶格参数和实测成分的影响
作者:
N.Mainzer
;
E.Zolotoyabko
;
A.Berner
;
E.Lakin
;
G.Bahir
;
A.Sher
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
HgCdTe;
Defects;
X-ray diffraction;
29.
Scanning force microscopy and electron microscopy studies of pulsed laser deposited ZnO thin films: application to the bulk acoustic waves (BAW) devices
机译:
脉冲激光沉积ZnO薄膜的扫描力显微镜和电子显微镜研究:在体声波(BAW)器件中的应用
作者:
P.Verardi
;
N.Nastase
;
C.Gherasim
;
C.Ghica
;
M.Dinescu
;
R.Dinu
;
C.Flueraru
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
ZnO;
Thin film;
Scannign force microscopy;
Piezoelectric properties;
30.
Seedless THM growth of Cd_xHg_1-xTe (x approx approx 0.2) single crystals within rotating magnetic field
机译:
Cd_xHg_1-xTe(x约0.2)单晶在旋转磁场中的无核THM生长
作者:
A.S.Senchenkov
;
I.V.Barmin
;
A.S.Tomson
;
V.V.Krapukhin
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Crystal homogeneity;
THM;
Magnetohydrodynamics;
Mercury cadmium telluride;
31.
Spectroscopic characterization of photorefractive CdTe:Ge
机译:
光折变CdTe:Ge的光谱表征
作者:
B.Briat
;
F.Ramaz
;
B.Farid
;
K.Shcherbin
;
H.J.von Bardeleben
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Cadmium telluride;
Germanium;
CdTe:Ge;
Photorefractive crystals;
32.
The use of semiconductor scintillation crystals A~IIB~VI in radiation instruments
机译:
半导体闪烁晶体A〜IIB〜VI在辐射仪器中的使用
作者:
V.Ryzhikov
;
V.Chernikov
;
L.Galchinetskii
;
S.Galkin
;
E.Lisetskaya
;
A.Opolonin
;
V.Volkov
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Scintillation crystals A~IIB~VI;
Isovalent doping;
Light out;
Time decay;
Dosimetry;
Spectrometry;
Introscopy;
33.
Study of the chemically activated sublimation of ZnSe
机译:
ZnSe的化学活化升华研究
作者:
Ivan Mora-Sero
;
V.Munoz
;
M.Barbe
;
R.Triboulet
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
ZnSe;
Chemically assisted sublimation;
CSVT;
34.
Magneto-optical studies of quaternary diluted magnetic semiconductors
机译:
四元稀磁半导体的磁光研究
作者:
L.Bryja
;
M.Ciorga
;
J.Misiewicz
;
A.Zaleski
;
P.Becla
;
W.C.Chou
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Diluted magnetic semiconductors;
Exchange constants;
Excitons;
35.
Substrate/layer relationships in II-VIs
机译:
II-VI中的基板/层关系
作者:
S.J.C.Irvine
;
A.Stafford
;
M.U.Ahmed
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
36.
Laser emission in HgCdTe in the 2-3.5 #mu#m range
机译:
HgCdTe中的激光发射范围为2-3.5#mu#m
作者:
Joeel Bleuse
;
Joeel Bonnet-Gamard
;
Guido Mula
;
Noeel Magnea
;
Jean-Louis Pautrat
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Laser;
HgCdTe;
Mid-infrared;
Auger recombination;
Separate confinement heterostructure;
37.
Zn concentration determination in CdZnTe by NIR spectroscopy
机译:
近红外光谱法测定CdZnTe中的锌浓度
作者:
C.D.Maxey
;
J.E.Gower
;
P.Capper
;
E.S.OKeefe
;
T.Skauli
;
C.K.Ard
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdZnTe;
Near infrared spectroscopy;
Substrate screening;
38.
Crystal growth of SrS from Te solution and its optical properties
机译:
Te溶液中SrS的晶体生长及其光学性质
作者:
H.Kanie
;
H.Kagawa
;
T.Kato
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
SrS;
Solution growth;
Cathodoluminescence;
Photoluminescence;
Exciton;
Isoelectronic trap;
39.
IV group dopant compensation effect in CdTe
机译:
CdTe中的IV族掺杂补偿效应
作者:
O.Panchuk
;
A.Savitskiy
;
P.Fochuk
;
Ye.Nykonyuk
;
O.Parfenyuk
;
L.Shcherbak
;
M.Ilashchuk
;
L.Yatsunyk
;
P.Feychuk
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
Ge(Sn) doping;
Stoichiometry;
Electrical properties;
Magnetic properties;
40.
Numeric simulation of vertical Bridgman growth of Cd_1-xZn_xTe melts
机译:
Cd_1-xZn_xTe熔体垂直Bridgman生长的数值模拟
作者:
V.M.Lakeenkov
;
V.B.Ufimtsev
;
N.I.Shmatov
;
Yu.F.Schelkin
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Melt-crystal system;
Vertical Bridgman growth;
Cd_1-xZn_xTe crystals;
41.
Investigation of deep levels in vanadium-doped CdTe and CdZnTe
机译:
钒掺杂CdTe和CdZnTe中深水平的研究
作者:
A.Zerrai
;
M.Dammak
;
G.Marrakchi
;
G.Bremond
;
R.Triboulet
;
Y.Marfaing
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Cadmium telluride;
Vanadium;
Deep-level characterization;
Photorefractivity;
DLTS;
DLOS;
Optical cross-section;
Capture barrier;
42.
Preparation of (0 0 1) ZnSe surfaces for homoepitaxy
机译:
制备(0 0 1)ZnSe表面用于同质外延
作者:
S.Storm
;
W.Neumann
;
H.Niehus
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
(0 0 1) ZnSe substrate;
Surface treatment technology;
Subsurface damage;
Morphology;
43.
Parameters of substrates-single crystals of ZnTe and Cd_1-xZn_xTe(x<0.25), obtained by physical vapor transport technique (PVT)
机译:
通过物理气相传输技术(PVT)获得的ZnTe和Cd_1-xZn_xTe(x <0.25)的单晶衬底参数
作者:
A.Mycielski
;
A.Szadkowski
;
E.Lusakowska
;
L.Wowalczyk
;
J.Domagala
;
J.Bak-Misiuk
;
Z.Wilamowski
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Physical vapor transport technique;
II-VI semiconductors;
44.
Optical transmission of ZnSe crystals grown by solid phase recrystallization
机译:
固相重结晶生长的ZnSe晶体的光透射
作者:
E.Rzepka
;
J.P.Roger
;
P.Lemasson
;
R.Triboulet
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
ZnSe;
Optical transmission;
Grain boundary;
Light scattering;
45.
CdZnTe radiation detectors
机译:
CdZnTe辐射探测器
作者:
A.A.Melnikov
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdZnTe monocrystals;
Room-temperature detectors;
Energy resolution;
46.
Characterization of CdTe substrates and MOCVD Cd_1-xZn_xTe epilayers
机译:
CdTe衬底和MOCVD Cd_1-xZn_xTe外延层的表征
作者:
M.Levy
;
N.Amir
;
E.Khanin
;
Y.Nemirovsky
;
R.Beserman
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
II-VI;
Raman;
Photoluminescence;
Thin film growth;
47.
Distribution of tellurium in melt-grown ZnSe(Te) crystals
机译:
碲在熔融生长的ZnSe(Te)晶体中的分布
作者:
L.V.Atroshchenko
;
L.P.Galchinetskii
;
S.N.Galkin
;
V.D.Ryzhikov
;
V.I.Silin
;
N.I.Shevtsov
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Solid solution;
Zinc selenide crystals;
Effective distribution coefficient of tellurium;
48.
Electric field distribution in CdTe and Cd_1-xZn_xTe nuclear detectors
机译:
CdTe和Cd_1-xZn_xTe核探测器中的电场分布
作者:
A.Zumbiehl
;
M.Hage-Ali
;
P.Fougeres
;
J.M.Koebel
;
R.Regal
;
P.Siffert
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Electric field;
Pockels effect;
CdTe;
CdZnTe;
Nuclear detectors;
49.
Diffusion length of minority carriers in (CdZn)Te and (HgCd)Te single crystals measured by EBIC method
机译:
EBIC法测量(CdZn)Te和(HgCd)Te单晶中少数载流子的扩散长度
作者:
J.Franc
;
E.Belas
;
A.L.Toth
;
H.Sitter
;
P.Hlidek
;
P.Moravec
;
P.Hoschl
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Diffusion length;
EBIC;
(CdZn)Te;
(HgCd)Te;
50.
Defect studies in Cd_0.05Te:Ga by DLTS
机译:
DLTS在Cd_0.05Te:Ga中的缺陷研究
作者:
J.Szatkowski
;
E.Placzek-Popko
;
K.Sieranski
;
B.Bieg
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdMnTe;
Defect centers;
DLTS;
51.
Dependence of lattice parameter of melt-grown ZnSe on zn partial pressure during in situ annealing
机译:
原位退火过程中熔体生长的ZnSe晶格参数与zn分压的关系
作者:
Haruhiko Udono
;
Isao Kikuma
;
Yasumasa Okada
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Lattice parameter;
Bond method;
ZnSe;
Melt growth;
Anneal;
PL;
52.
Doping and contacting of wide gap II-VI compounds
机译:
宽间隙II-VI化合物的掺杂和接触
作者:
W.Faschinger
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
53.
Heat transfer simulation in a vertical Bridgman CdTe growth configuration
机译:
垂直Bridgman CdTe生长配置中的传热模拟
作者:
C.Martinez-Tomas
;
V.Munoz
;
R.Triboulet
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
Numerical simulation;
Heat transfer;
Bridgman technique;
54.
High temperature electrical conductivity in the phase transition region
机译:
相变区中的高温电导率
作者:
K.Lott
;
T.Nirk
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
High temperature electrical conductivity;
Defect equilibria;
Phase transition;
Solid solution;
55.
Growth of CdZnTe single crystals for radiation detectors
机译:
辐射探测器用CdZnTe单晶的生长
作者:
A.A.Melnikov
;
A.S.Sigov
;
K.A.Vorotilov
;
A.A.Davydov
;
L.I.Topalova
;
N.V.Zhavoronkov
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Single crystals;
Cadmium zinc telluride;
Vapour phase growth;
Radiation detectors;
56.
In situ observation of twin formation during the growth of ZnSe single crystals from the vapor phase
机译:
气相生长ZnSe单晶过程中孪晶形成的原位观察
作者:
E.Schoeherr
;
M.Freiberg
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Zinc selenide;
Vapor grown crystals;
Morphology;
Twin formation;
57.
Improvement of CdTe substrate quality by acoustic treatment
机译:
通过声学处理提高CdTe基板质量
作者:
M.Lisiansky
;
V.Korchnoi
;
A.Berner
;
E.Mruanevich
;
R.Weil
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
81.40. -z;
43.35.+d;
71.55.Gs;
58.
Point defect characterization of Zn- and Cd-based semiconductors using positron lifetime spectroscopy
机译:
基于正电子寿命谱的锌和镉基半导体的点缺陷表征
作者:
G.Tessaro
;
P.Mascher
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
II-VI compounds;
Point defects;
Positron annihilation spectroscopy;
59.
Photo and X-ray sensitive heterostructures based on cadmium telluride
机译:
基于碲化镉的光和X射线敏感异质结构
作者:
R.Ciach
;
M.V.Demich
;
P.M.Gorley
;
Z.Kuznicki
;
V.P.Makhniy
;
I.v.Malimon
;
Z.Swiatek
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
60.
Pre-transition phenomena in CdTe near the melting point
机译:
CdTe中接近熔点的预转变现象
作者:
L.Shcherbak
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
CdTe;
Ge;
Post-melting;
Supercooling;
Superheating;
Structural transition;
61.
Resistivity simulation of CZT materials
机译:
CZT材料的电阻率模拟
作者:
A.Zumbiehl
;
P.Fougeres
;
M.Hage-Ali
;
J.M.Koebel
;
P.Siffer
;
A.Zerrai
;
K.Cherkaoui
;
G.Marrakchi
;
G.Bremond
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Resistivity;
Simulation;
Levels;
Band;
PICTS;
CZT;
62.
State of the art of (Cd,Zn)Te as gamma detector
机译:
(Cd,Zn)Te作为伽马探测器的最新技术
作者:
M.Fiederle
;
T.Feltgen
;
J.Meinhardt
;
M.Rogalla
;
K.W.Benz
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
63.
Stoichiometry and impurity concentrations in II-VI compounds measured by elastic recoil detection analysis (ERDA)
机译:
通过弹性反冲检测分析(ERDA)测量的II-VI化合物的化学计量和杂质浓度
作者:
M.Birkholz
;
W.Bohne
;
J.Roehrich
;
A.Jaeger-Waldau
;
M.C.Lux-Steiner
会议名称:
《Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs》
|
1998年
关键词:
Solar-cell materials;
Stoichiometry;
Doping;
Elastic recoil detection;
64.
State of the art and prospects of photorefractive CdTe
机译:
光折变CdTe的技术现状和前景
作者:
Y.Marfaing
会议名称:
《》
|
1998年
关键词:
Photorefractivity;
CdTe;
CdZnTe;
Bridgman growth;
Vanadium;
Nonlinear optics;
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