Ioffe Physical Technical Institute, 194021, Polytekhnicheskaya st. 26, Saint Petersburg, Russia;
Ioffe Physical Technical Institute, 194021, Polytekhnicheskaya st. 26, Saint Petersburg, Russia;
silicon dioxide; point defect; cathodoluminescence;
机译:阴极发光法研究二氧化硅中点缺陷的改性
机译:水合和无水熔融二氧化硅辐照缺陷结构的阴极发光微表征
机译:水合和无水熔融二氧化硅辐照缺陷结构的阴极发光微表征
机译:阴离子发光硅二氧化硅点缺陷改性的研究
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:氢等离子体处理非晶碳化硅基体减少硅量子点超晶格结构缺陷的研究
机译:二氧化硅中的硅纳米光刻:阴极发光,能量分散X射线分析和红外光谱研究