Dept. of Physics, Inha University, Incheon 402-751, KOREA;
Dept. of Electrical Communication Engineering, Hanyang University, Ansan 426-791, KOREA;
light-emitting diode; ingan; efficiency droop; quantum well; carrier distribution;
机译:电子电流溢出和不均匀载流子分布对InGaN量子阱激光器性能的影响
机译:电子电流溢出和载流子分布不均对InGaN量子阱激光器性能的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱和单量子阱中的载流子弛豫动力学和稳态电荷分布
机译:IngaN多量子井的不均匀载体分布,其对器件性能的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:确定InGaN / GaN载流子分布的因素 多量子阱发光二极管