Physics Astronomy Department and Center for Nanoscience, Univ. of Missouri-St. Louis, MO 63121. USA;
Virginia Commonwealth University ECE Department, Richmond, VA 23284;
Schottky Diodes; 1/f noise; Quantum 1/f noise; GaN-based diodes,; THz detection; THz imaging; Metal-semiconductor diodes; UHF rectifiers;
机译:石墨烯锗锗肖特基势垒二极管的肖特基势垒参数和低频噪声特性
机译:Ti-Au / n型GaAs肖特基势垒二极管的1 / f噪声和RTS叠加噪声的研究
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机译:基于BiCMOS 55 nm的雪崩硅肖特基二极管的130至170 GHz集成噪声源,用于原位噪声表征
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机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
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