Laboratoire de Genie des Precedes Plasmas - Universite Pierre et Marie Curie - ENSCP, 11, rue Pierre et Marie Curie - 75231 Paris France;
silicon; thermal plasma; electrochemistry;
机译:应用于MG熔融硅浴的DC偏置对其RF热等离子体净化的影响
机译:射频热等离子体中熔融硅浴中直流偏压对其提纯和加氢的影响
机译:冶金级硅渣精炼过程中硼在熔融硅中的扩散和传质
机译:通过热等离子体工艺纯净冶金级纯化与熔融硅浴偏置
机译:活性氮中硅的热氮化(薄介电体,等离子体处理,超大型材料,氮化硅,氧化硅)
机译:使用两步金属辅助化学刻蚀方法由冶金级硅粉形成硅纳米线填充膜
机译:冶金级硅的纯化结合Sn-Si溶剂精制气体压力过滤