CERI, CNRS, 3A rue de la Ferollerie 45071 Orleans, France;
6H-SiC; Positron annihilation spectroscopy; vacancy defects; electron irradiation;
机译:UO_2中的正电子an没特性:用于电子辐照引起的晶格和空位缺陷
机译:电子辐照6H-SiC中与空位缺陷相关的an没辐射的角度相关性
机译:正电子-没研究6H-SiC中电子辐照产生的缺陷
机译:电子照射诱导的空位缺陷被删除的正极湮灭在6h-sic中
机译:正电子an没螺旋钻电子光谱在砷化镓上生长的界面缺陷和超薄铝膜的稳定性测量中的应用(100)
机译:不同化学计量比偏差下CdTe:Cl和CdZnTe:Ge的空位相关缺陷的正电子spec没光谱
机译:离子辐照诱导铁薄膜缺陷的变化:电子显微镜和正电子湮没光谱
机译:通过正电子寿命研究电子辐照RpV钢的空位缺陷