Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology Toyohashi, Aichi, 441-8580, Japan;
机译:Si /Ⅲ-V-N单片OEIC的基本设备,电路和工艺
机译:基于InP的超快单片集成光接收器:OEIC设计,制造和系统应用
机译:生长TiO 2 sub>纳米管对锻造Ti 6 sub> Al 4 sub> V合金和选择性激光烧结Ti 6 sub> Al <的影响用于环境和医疗应用的sub> 4 sub> V合金表面
机译:Si上III-V-N合金的无脱位生长及其在单片OEIC中的应用
机译:用于光电子应用的外延Si-Ge-Sn合金的RPCVD生长
机译:牙科合金对整体氧化锆的微硬度与耐磨性的相关性
机译:无位错应变合金薄膜的外延生长:形态学 和成分不稳定
机译:整体复合金属间合金高温疲劳 - 裂纹扩展和低温韧性的微观机制。