Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan;
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan;
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan;
Shizuoka Institute of Science and Technology, Fukuroi, Shizuoka, Japan;
Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan;
Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, Japan;
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan;
alloy semiconductor; microgravity; growth striations; solution growth;
机译:InGaSb合金半导体在陆地条件下的大量生长:国际空间站(ISS)的微重力实验的初步研究
机译:利用中国恢复卫星SJ-10研究InGaSb在微重力和地面条件下对未来晶体生长项目的发展
机译:在微重力和地面条件下使用挡板固化半导体合金的数值模型
机译:地面条件下InGaSB合金半导体的散装生长:ISS的微匍匐实验初步研究
机译:二元和三元合金半导体在外部磁场下的液相电外延体生长。
机译:InxGa1-xSb合金半导体在国际空间站(ISS)的生长以及与地面实验的比较
机译:微枝下InGaSB合金半导体散装晶体的生长
机译:磁场中合金半导体微重力晶体生长过程中的质量传递模型