Institute of Microelectronics, 11 Science Park Road, Singapore Science Park II Singapore 117685;
boron nitride; BN; selective; formulation; oxidization; isotropic; silicon; etch; piranha etch; MEMS;
机译:RF等离子体选择性蚀刻氮化硼膜
机译:立方和六方氮化硼薄膜(c-BN / h-BN)通过r.f.磁控溅射
机译:固溶氮化硼薄膜对低压碳纳米管薄膜晶体管界面特性的改善
机译:制定氮化硼(BN)薄膜选择性蚀刻或清洁溶液的秘诀
机译:原子清洁的氮化镓(0001)和氮化铝(0001)薄膜的制备,表征以及通过碘汽相生长沉积厚的氮化镓薄膜。
机译:六方氮化硼薄片作为可转移衬底上二氧化钒薄膜的生长
机译:在六边形氮化物上的共价有机框架超薄薄膜的选择性生长
机译:六方氮化硼(h-BN)薄膜的合成与表征。