Lab. TASC, CNR (Italy);
Sincrotrone Trieste S.C.p.A. (Italy);
Institute of Physics of the A.S.C.R (Czech Republic);
Lab. TASC, CNR (Italy);
Univ. di Modena e Reggio Emilia (Italy);
机译:多次发射激光束损坏的FEL多层光学器件的EUV软X射线表征
机译:低于单发损伤阈值的多次46.9 nm激光辐照对无定形碳薄膜的辐射损伤
机译:皮秒级强脉冲FEL和Nd:YLF激光对UV-FEL谐振器多层反射镜造成的光学损伤
机译:由多次射击激光束损坏的FEL多层光学器件:实验结果和讨论
机译:Duke FEL存储环中束物理的理论和实验研究。
机译:在单次损伤阈值以下的长期自由电子激光照射下EUV镜辐射损伤抵抗性的实验研究
机译:VUV和软X射线自由电子激光器FLASH(以前的VUV-FEL)是DESY \ ud的用户设施 (汉堡)。为了优化设施的性能,\ ud的准确表征 电子束特性至关重要。横向投影发射率,重要参数之一 表征电子束质量的方法是使用具有光学\ ud 过渡辐射监测仪。 1 udC光束的归一化均方根发射率低于2 mmmrad 测量。在本文中,我们描述了实验设置,数据分析方法以及当前\ ud 实验结果。
机译:商用级pmma(聚甲基丙烯酸甲酯)的单次和多次激光损伤特性