Department of Materials Chemistry, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan;
Department of Materials Chemistry, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan;
机译:CuInSe_2 / CdS和CuInSe_2 / ZnS(110)界面的带偏移:混合密度泛函理论研究
机译:非真空合成方法中存在的CuInSe_2和CuGaSe_2中碳杂质的第一性原理研究
机译:CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2的变形行为和结构缺陷的第一性原理研究
机译:CUINSE_2中CD扩散的第一原理研究
机译:冶金合金非稀溶溶质扩散性能的第一原理研究
机译:第一性原理研究不同界面和核类型对CdSe / CdS核-壳纳米晶体性能的影响
机译:第一性原理研究不同界面和核类型对CdSe / CdS核-壳纳米晶体性能的影响