【24h】

First-Principles Study on Diffusion of Cd in CuInSe_2

机译:镉在CuInSe_2中扩散的第一性原理研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

We have investigated the migration energy of Cd atom in CuInSe_2 (CIS) with a Cu vacancy by first-principles calculations. The activation energy of Cd migration in CIS and migration pathways are obtained by means of the combination of linear and quadratic synchronous transit (LST/QST) methods and nudged elastic band (NEB) method. The theoretical migration energy of Cd atom in CIS is 0.99 eV. The migration energy of Cd atom (Cd→V_(Cu)) in CIS is comparable to that of Cu migration (Cu→V_(Cu)) in CIS (1.06 eV). This result indicates that Cd diffusion in CIS easily occurs like Cu diffusion.
机译:通过第一性原理计算,我们研究了Cu原子在CuInSe_2(CIS)中的Cd原子迁移能。通过线性和二次同步过渡(LST / QST)方法和微动弹性带(NEB)方法相结合,获得了CIS和迁移路径中Cd迁移的活化能。 Cd原子在CIS中的理论迁移能为0.99 eV。独联体中Cd原子的迁移能(Cd→V_(Cu))与独联体中Cd原子的迁移能(Cu→V_(Cu))(1.06 eV)相当。该结果表明,CIS中的Cd扩散与Cu扩散一样容易发生。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号