SCIOCS Hitachi Ibaraki 319-1418 Japan;
Hosei University Koganei Tokyo 184-8584 Japan;
Hosei University Koganei To;
etching; gallium compounds; III-V semiconductors; masks; semiconductor epitaxial layers; semiconductor growth; silicon; titanium; wide band gap semiconductors;
机译:在光电化学刻蚀的n型氮化镓中观察到的染料敏化
机译:光电化学刻蚀 n i>型氮化镓中的染料敏化
机译:氢氧化四甲铵(TMAH)处理对莱赛尔(TENCEL)纤维的纤丝间结构的影响
机译:氢氧化铝处理对光电化学蚀刻氮化镓沟沟结构的影响
机译:用于发光二极管的氮化铟镓/氮化镓和氮化铝镓/氮化镓结构的微观结构和成分研究。
机译:湿法氮化镓纳米线的催化生长化学气相沉积化学蚀刻基材
机译:镓掺杂氧化锌膜蚀刻亚波长沟槽阵列中的等离子体共振和完美光吸收
机译:用磷酸和熔融氢氧化钾分子束外延生长氮化镓中位错蚀刻坑的观察与研究