Department of Physics, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, P.R. China;
nitride semiconductor; strain field; piezoelectric effect; quantum dots; electronic states;
机译:纤锌矿型GaN / AIN半导体量子点的弹性和压电特性
机译:纤锌矿干/ ain量子点的E_(2h)声子模的温度依赖性
机译:AIN矩阵中纤锌矿GaN量子点的光致发光动力学。
机译:紫立岩GaN / AIN半导体量子点的弹性和压电特性
机译:半导体量子点激光器中的和线宽特性。
机译:在基于纤锌矿GaN的量子阱异质结构中通过具有高群速度的界面光子进行电子散射
机译:纤锌矿GaN / alN半导体量子点的弹性和压电特性
机译:用于量子点器件室温操作的GaN / alN自组装量子点的研制