大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製

摘要

我々は、非晶質基板上アモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜への大気圧マイク口熱プラズマジヱット（μ-TPJ)照射により高速横方向結晶化(HSLC)を誘起し、チャネル領域に応用したp型Ge-薄膜トランジスタ (TFT)の作製、およびn型不純物の活性化を報告した[1,2]。本研究ではn型Ge-TFTの作製に向け、a-Ge膜 にソース•ドレイン部を模擬したコンタクト部分を高濃度に、チャネルを模擬した細線部分を低濃度にリ ンイオン(P+)をドープし、μ-TPJを照射することで高移動度n型Ge膜の作製を試みた。