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酸化グラフェン,酸化グラフェン還元体を触媒としたSi 基板のケミカルエッチング

机译:以氧化石墨烯和还原氧化石墨烯为催化剂的硅衬底化学刻蚀

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摘要

酸化グラフェン(GO)は電極,触媒,半導体材料などの様々な用途への応用が期待されている材料である.GO やGO 還元体(rGO)の触媒機能を活用することで,Ge 基板のケミカルエッチングが最近報告された[1].Si 基板において同様なプロセスを実証できれば,ナノ構造形成やウェハのケミカルダイシングに応用できる可能性がある.本研究では,まずGO およびrGO を触媒としたSi 基板のケミカルエッチングを試みた.
机译:氧化石墨烯(GO)是一种有望应用于各种应用的材料,例如电极,催化剂和半导体材料。最近报道了利用GO和GO还原剂(rGO)的催化功能对Ge基片进行化学蚀刻的方法[1]。如果可以在硅衬底上演示类似的过程,则可以应用于纳米结构的形成和晶圆的化学切割。在这项研究中,我们首先尝试使用GO和rGO作为催化剂对Si衬底进行化学蚀刻。

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