XPS によるGaGdAs:Si 多層膜の電子状態分析2

摘要

希薄磁性半導体は, 半導体結晶に磁性物質を微量に添加したものである。そのため, 磁性と半導体の両方の性質を有する機能性物質として注目を集めている。本研究では, MBE 成長された試料をX 線光電子分光法(X-rayPhotoelectron Spectroscopy; XPS)で電子状態を調べ, またイオンガンを用いて深さ方向の分析(Depth Profile)を行い試料の特性を調べた。