超臨界二酸化炭素下でのエタノールを炭素源とした微細孔へのCNMの埋め込み: Fe触媒の場合

摘要

現在普及しているPC,スマートフォンなどのデバイスの高機能化には大規模集積回路（LSI: Large Scale Integration)の高性能化が必要となる。それに伴い、使用されているトランジスタの微細化が進み、LSI内部の電流密度が上昇するため、従来の銅(Cu)配線ではエレクト口マイグレーション（電気伝導体内で電子が移動すると ともに、金属イオンが移動する時に、金属イオンの移動する量が多くなることで短絡や断線を生じる現象）を引 き起こし、装置の信頼性が低下してしまうという問題が考えられる。それに対し、カーボンナノチューブは、高 い電流密度耐性を持っため、エレクトロマイグレーションを克服した新しい配線材料として注目されている。